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NPT2010B大功率射頻功率晶體管
NPT2010B大功率射頻功率晶體管

重要參數(shù)

NPT2010B大功率射頻功率晶體管

工作頻率:DC-2.2GHz 

功率: 100W-50dBm

高可靠性陶瓷鍍金封裝

GaN工藝

 


品牌:MACOM

產(chǎn)品詳情介紹

NPT2010 GaN-HEMT是一種寬帶晶體管,為DC-2.2ghz工作而優(yōu)化。該裝置設(shè)計用于連續(xù)波、脈沖和線性操作,輸出功率級為100W50dBm),采用帶螺栓法蘭的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)金屬陶瓷封裝。

特征

適合線性和飽和應(yīng)用

可從DC-2.2 GHz調(diào)諧

48V操作

工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)包

高排水效率(>60%

應(yīng)用

國防通信

陸地移動無線電

航空電子設(shè)備

無線基礎(chǔ)設(shè)施

ISM應(yīng)用

VHF/UHF/L波段雷達

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