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JP503AS
JP503AS

重要參數

JP503AS

頻率(GHZ):2.0 - 2.3

功率(W):25

回波損耗(dB):20.8

插入損耗(dB):0.30


品牌:Anaren

產品詳情介紹

JP503AS是一種低姿態,高性能的3dB混合耦合器,易于使用,制造友好的表面安裝封裝。它是為W-CDMA和其他3G應用而設計的。JP503AS專為平衡放大器、可變移相器和衰減器、低噪聲放大器、信號分配而設計,是滿足無線工業對更小印刷電路板和高性能要求的理想解決方案。零件已經過嚴格的鑒定測試,它們是使用熱膨脹系數(CTE)的材料制造的,這些材料與FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺等常見基材兼容。生產6個符合RoHS標準的浸錫飾面。


JP503AS特征:

?2.0–2.3千兆赫。

?3G頻率

?低損耗

?高隔離度

?90°正交

?表面貼裝

?磁帶和卷軸

?無鉛

?100%測試


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