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CGHV96050F2碳化硅高電子遷移率晶體管 代理現貨

發布時間:2019-02-22 10:22:17     瀏覽:1639

50 W,7.9 - 9.6 GHz,50歐姆,輸入/輸出匹配GaN HEMT


Wolfspeed的CGHV96050F2是碳化硅(SiC)基板上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其他技術相比,這種GaN內部匹配(IM)FET具有出色的功率附加效率。與硅或砷化鎵相比,GaN具有優異的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度和更高的導熱率。與GaAs晶體管相比,GaN HEMT還提供更大的功率密度和更寬的帶寬。該IM FET采用金屬/陶瓷法蘭封裝,具有最佳的電氣和熱性能。

品牌 型號 貨期 庫存
CREE CGHV96050F2 1周 300
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特征

  • 80 W POUT典型值


峰值輸出功率 50W
應用 L波段/ S波段/ X波段/ C波段/ Ku波段
典型的功率附加效率PAE 55%
典型功率(PSAT) 80瓦
功率增益 10分貝
工作電壓 40 V
頻率 7.9 - 9.6 GHz
包裝類型 輪緣
內部匹配 是 - 50Ω

示意圖

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