AMCOM的GaN MMIC 放大器具有哪些優(yōu)勢？
發(fā)布時間：2020-07-22 14:22:50 瀏覽：1622
AMCOM是美國半導(dǎo)體公司中最具有全世界技術(shù)領(lǐng)先的微波設(shè)計公司，AMCOM的GaN寬禁帶半導(dǎo)體具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等好處，可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣前提的新要求。從工程角度來看，GaN具有的4個優(yōu)勢：
· 寬禁帶半導(dǎo)體具有杰出的dV/dt切換性能，這意味著開關(guān)消耗很小。這使得高開關(guān)頻率(GaN為1 MHz以上)成為可能，后果有助于減小磁體體積，同時提升功率密度。
· 電感值、尺寸和分量能削減70%以上，同時還能削減電容數(shù)量，使很終轉(zhuǎn)換器的尺寸和分量僅相當于古代轉(zhuǎn)換器的五分之一。
· 無源元件和機械部件(包含散熱器)的用量可節(jié)減大概40%，增值片面則表現(xiàn)在控制電子IC上。
· 寬禁帶半導(dǎo)體對高結(jié)溫具有超高的耐受性，這種耐受性有助于提升功率密度，削減散熱問題。
伴隨著AMCOM的GaN生產(chǎn)工藝在不斷進步，在GaN-on-Si外表片上生產(chǎn)的GaN器件具有相當?shù)偷睦媳荆仍?/span>SiC晶片上生產(chǎn)任何產(chǎn)品都更為容易。由于這些緣故，GaN晶體管可能會成為2020年代后期逆變器中的首選，優(yōu)于較昂貴的SiC MOSFET。
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模型 | 最低頻率（GHz） | 最大頻率（GHz） | 增益（dB） | 輸出功率（dBm） | Eff（％） | 包 |
AM003042WN-XX-R | 0.05 | 3 | 23 | 42 | 33 | Flange / SMT |
AM003042WN-00-R | 0.05 | 3 | 24 | 42 | 35 | Bare Die |
AM206041WN-SN-R | 1.8 | 6.5 | 30 | 41 | 23 | Flange |
AM206041WN-00-R | 1.8 | 6.5 | 32 | 42 | 27 | Bare Die |
AM408041WN-SN-R | 3.75 | 8.25 | 31 | 41 | 23 | Flange |
AM408041WN-00-R | 3.75 | 8.25 | 33 | 42 | 27 | Bare Die |
AM00010037WN-SN-R | DC | 10 | 13 | 37 | 23 | Flange |
AM00010037WN-00-R | DC | 10 | 13 | 37 | 25 | Bare Die |
AM08012041WN-SN-R | 7.5 | 12 | 21 | 41 | 20 | Flange |
AM08012041WN-00-R | 7.5 | 12 | 22 | 42 | 20 | Bare Die |
AM07512041WN-SN-R | 7.75 | 12.25 | 27 | 41 | 22 | Flange |
AM07512041WN-00-R | 7.75 | 12.25 | 28 | 42 | 27 | Bare Die |
