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LINEAR GaAsFET 偏置發(fā)生器

發(fā)布時(shí)間：2021-08-30 16:59:55 瀏覽：2027

GaAsFET（砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是高頻、超高頻、微波無線電頻下功放電路的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。GaAsFET憑借其靈敏性而舉世聞名，其形成的內(nèi)部噪聲極少。這主要是由于砷化鎵擁有與眾不同的載流子遷移率。電子特別容易通過半導(dǎo)體材料。GaAsFET是一款耗盡型機(jī)械設(shè)備，這就代表著當(dāng)在操縱電極門沒有電壓時(shí)它便會(huì)導(dǎo)電，當(dāng)在門側(cè)產(chǎn)生電壓時(shí)信道傳導(dǎo)率便會(huì)降低。在弱數(shù)據(jù)信號(hào)無線通信和廣播接收中，GaAsFET優(yōu)于其他類型的場(chǎng)效晶體管。

LINEAR提供了完整性的充電泵DC-DC穩(wěn)壓器產(chǎn)品，特別適合于用來作為GaAsFET偏置發(fā)生器。

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產(chǎn)品型號(hào)	Vin (min)	Vin (max)	Output Current (typ)	Output Voltage	Isupply (typ)	Frequency (typ)
	V	V	A		A	Hz
LTC1261L	2.7	5.25	20m	-4.5V, -4V, Adj	650μ	650k
LTC1550L	2.7	5.25	20m	-2.5V, -2V, -4.1V, -4V, Adj	4.2m	900k
LTC1551L	2.7	5.25	20m	-4.1V	3.5m	900k
LTC1550	2.7	5.25	20m	-1.5V, -2.5V, -2V, -4.1V, -4.5V, Adj	4.2m	900k
LTC1551	2.7	5.25	20m	-4.1V	4.2m	900k
LTC1261	3	8	12m	-3V, -4.5V, -4V, -5V, Adj	600μ	550k

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