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新型混頻器MMIC如何利用GaN實現卓越的線性度

發(fā)布時間：2018-08-03 16:28:24 瀏覽：2071

CUSTOM MMIC很自豪地宣布一項新的技術簡報，闡明了我們在使用GaN技術的無源MMIC混頻器達到令人難以置信的線性極限時所取得的進步。

在過去的一年里，Custom MMIC的混頻器專家一直在探索使用氮化鎵（GaN）工藝作為極線性RF混頻器的基礎。推斷GaN功率放大器的高線性性能可能會交叉到其他關鍵的微波元件，定制MMIC工程師已經與我們的幾個主要代工合作伙伴進行了多次GaN混頻器技術和類型的迭代。

最終，他們努力的成果導致無源GaN混頻器設計在輸入三階交調截點（IIP3）與本地振蕩器（LO）驅動器的比率方面超過所有砷化鎵（GaAs）無源混頻器設計 - a品質因數定制MMIC正在創(chuàng)造線性效率。從S波段到K波段（2 GHz到19 GHz），這些新型無源GaN混頻器展示的IIP3數字遠高于30 dBm，LO驅動電平約為20 dBm，線性效率高于10 dB。

如若您需要購買該產品，請隨時聯系我們，我們將竭誠為您服務！！！

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