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?CGHV50200衛(wèi)星通信氮化鎵高電子遷移率晶體管CREE

發(fā)布時間：2024-01-16 17:16:48 瀏覽：764

CGHV50200F是種專門設計用在高效化氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）；高增益和寬帶寬性能；從而使得CGHV50200F成為了對流層光學散射通訊的最佳選擇；4.4-5.0GHzC頻率段衛(wèi)星通訊應用與超低空。CGHV50200F選用陶瓷/金屬法蘭封裝形式。

CREE (17).png

特征

4.4–5.0GHz工作

180W常見PSAT

11.5dB常見功率增益值

48%常見電源效率

50Ω內(nèi)部適配

應用領域

衛(wèi)星通訊

超越視線——BLOS

對流層光學散射通訊

產(chǎn)品規(guī)格

描述：200瓦；4400-5000MHz；50Ω輸入/輸出適配；氮化鎵高電子遷移率晶體管

最低頻率(MHz)：4400

最高頻率(MHz)：5000

最高值輸出功率(W)：200

增益值(dB)：11.5

工作效率（％）：33

額定電壓(V)：40

形式：封裝形式分立晶體管

封裝類型:法蘭盤

技術應用：GaN-on-SiC

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