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?CMPA1C1D060 Ku波段衛星通信功率放大器CREE

發布時間:2024-01-23 17:21:57     瀏覽:642

CMPA1C1D060D是款碳化硅單晶上根據氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)CMPA1C1D060D應用0.25 μm柵極尺寸制作工藝。與硅相比較,GaN-on-SiC具有更加優異的性能;砷化鎵或硅基氮化鎵;包含更高的擊穿場強;更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數。

CREE (15).png

特征

具備 26 dB 小信號增益值

60 W 典型 PSAT

額定電壓高至 40 V

高擊穿場強

高溫度操控

應用領域

PTP 無線通信

衛星通訊上行鏈路

產品規格

描述:60瓦;12.7 13.25 GHz40VGaN MMIC 功率放大器

最低頻率(MHz)12700

最高頻率(MHz)13250

最高值輸出功率(W)65

增益值(dB)26.0

效率(%):30

額定電壓(V)40

模式:MMIC 裸片

封裝類別:Die

技術應用:GaN-on-SiC

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