人人干人人看,日韩免费av,亚洲一级在线

?GTRA262802FC高功率RF GaN放大器CREE

發布時間：2024-10-31 17:18:10 瀏覽：462

GTRA262802FC是CREE的250瓦（P3dB）GaN on SiC 高功率RF GaN放大器，應用于多標準蜂窩狀功率放大器技術應用。GTRA262802FC具備輸入適配、高效率和無軸環熱增強封裝的特性。

規格參數

闡述：SiC HEMT的高功率RF GaN 250 W；48v；2490-2690MHz

最低頻率（MHz）：2490

最高頻率（MHz）：2690

P3dB輸出功率（W）：250

增益值（dB）：14

效率（%）：54

額定電壓（V）：48

封裝類型：Earless

封裝：封裝分立晶體管

技術應用：SiC的GaN

特征

?GaN-on-SiC HEMT技術應用

?輸入適配

?典型的脈沖CW性能，2605 MHz，48 V，組合輸出，16μs脈沖寬度，10%pwm占空比

-P3dB=250W時的輸出功率

-效率=62%

-增益值=14.4 dB

?同時在48 V、38 W（CW）輸出功率下操作10:1 VSWR

?模特模型1A級（根據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低熱阻

?無鉛并滿足RoHS標準

深圳市立維創展科技有限公司授權經銷CREE微波器件，如若需要購CREE產品，請點擊右側客服聯系我們！！！

上一篇: 使用具有獨立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

下一篇: ?CHA3565-QAG C,X,Ka,K波段中功率放大器UMS

<del id="kkq22"></del>

<fieldset id="kkq22"></fieldset>

91av影视-91av一区-91av亚洲-91av网址-欧美99-欧美91在线