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?PXAE263708NB-V1 S波段大功率射頻LDMOS場效應晶體管

發布時間：2024-11-04 16:57:13     瀏覽：523

PXAE263708NB-V1是CREE的一款400瓦（P3dB）LDMOS FET，應用于2620至2690 MHz頻段的多標準蜂窩狀功率放大器技術應用。包含輸入輸出適配；高增益以及具有無突緣的熱增強封裝形式。PXAE263708NB-V1采用獨特的LDMOS工藝技術；PXAE263708NB-V1具有良好的熱穩定性和優異的安全性能。

PXAE263708NB-V1.png

產品規格

闡述：高功率RFLDMOS FET400W（P3dB）；28v；2620-2690MHz

最低頻率（MHz）：2620

最高頻率（MHz）：2690

P3dB輸出功率（W）：400

增益（dB）：13.5

效率（%）：47

額定電壓（V）：28

封裝類別：塑料

封裝：封裝形式分立晶體管

技術：LDMOS

特征

寬帶內部輸入輸出適配

非對稱性Doherty設計：主P1dB=140W典型值；最高值P1dB=260 W典型值

典型的脈沖CW特性；2655MHz；28v；多爾蒂構型；AB類：P1dB=200W時的輸出功率；P3dB=400W時的輸出功率；效率=49%（POUT=57 W均值）；增益=15 dB（POUT=57 W均值）

能夠處理32 V時10:1的VSWR；100 W（CW）輸出功率

集成化ESD保護

無鉛并滿足RoHS標準

深圳市立維創展科技有限公司授權經銷CREE微波器件，如若需要購CREE產品，請點擊右側客服聯系我們！！！

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