?CGHV60170D-GP4高電子遷移率晶體管
發(fā)布時間:2024-11-18 17:03:20 瀏覽:616
CGHV60170D是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備優(yōu)異的性能;包含較高的擊穿場強(qiáng);飽和電子偏移速度較高;及其較高的傳熱性。與Si和GaAs晶體管相比較,CGHV60170D提供較高的功率密度和更寬的頻帶寬度。
產(chǎn)品規(guī)格
闡述:170瓦;6.0 GHz;50VGaN HEMT芯片
最低頻率(MHz):0
最高頻率(MHz):6000
增益值(dB):17
封裝類別:Die
特征
65%典型功率附加效率
170 W典型PSAT
50V操控
高擊穿場強(qiáng)
頻率范圍高至6 GHz
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