如何消除復雜偏置排序器和負電壓供應
發(fā)布時間:2018-10-10 10:59:52 瀏覽:1551
我們很自豪地宣布一項新的技術(shù)簡介,闡明了我們在消除復雜偏置定序器和負電壓供應方面取得的進展。
我們的專家工程師一直在探索在單片微波集成電路(MMIC)中使用增強模式假晶高電子遷移率晶體管(E-pHEMT)。這是一種很有前景的技術(shù),因為它直接解決了眾所周知的設(shè)計挑戰(zhàn)。具體而言,放大器偏置中的排序。
通過刪除順控程序產(chǎn)生的節(jié)省可能是巨大的。功率放大器(PA)和低噪聲放大器(LNA)的設(shè)計者對E-pHEMT器件的使用還處于起步階段,因為這樣的器件最近才從許多半導體制造商處獲得。然而,Custom MMIC一直是該領(lǐng)域的先驅(qū),目前提供數(shù)十種采用E-PHEMT技術(shù)構(gòu)建的標準,現(xiàn)成的PA和LNA組件。E-pHEMT放大器不僅可以降低成本和復雜性,還可以提高性能。根據(jù)定義,這是一個雙贏的局面。
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Q3XB-4000R-SMA 是 Electro-Photonics 設(shè)計的高性能 3dB 90 度 SMT 混合耦合器,旨在優(yōu)化窄帶和寬帶功率放大器性能。它封裝尺寸小,適合空間受限場景,具備 1700-6000 MHz 頻率范圍、85 瓦額定功率等性能參數(shù),接口類型多樣且表面處理可定制,廣泛應用于信號分割/組合、天線波束形成網(wǎng)絡(luò)等多個領(lǐng)域。