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?CGH09120F高功率氮化鎵（GaN）晶體管

發布時間：2025-04-28 16:35:21     瀏覽：250

CGH09120F是一款由 Wolfspeed（原CREE科銳）公司生產的高電子遷移率晶體管（HEMT），采用氮化鎵（GaN）技術，具有高效率、高增益和寬帶能力，支持寬帶信號處理，尤其適合需要動態頻率調整的系統。

CGH09120F電路示意圖

主要特性

頻率范圍：UHF 至 2.5 GHz。

功率輸出：120 瓦。

增益：21 分貝。

工作電壓：28 V。

封裝形式：陶瓷/金屬法蘭封裝。

效率：在 20 W PAVE 時效率為 35%。

應用優勢：支持高度數字預失真（DPD）校正。

技術對比與優勢

參數

CGH09120F

硅基LDMOS

備注

頻率上限

2.5 GHz

通常<1 GHz

GaN在高頻下效率更高

功率密度

4.3 W/mm2

約1 W/mm2

適合緊湊型設計

效率（PAVE）

35%

20%~25%

顯著降低系統功耗

熱阻

1.2°C/W

2.5°C/W

更優的散熱能力

應用領域

無線通信基站

  • 作為 LTE、WCDMA 或 MC-GSM 基站功率放大器的核心器件，提供高效率、高線性的射頻信號放大，降低基站能耗與運營成本。

  • 適用于多載波聚合（CA）場景，通過 DPD 技術提升多載波信號的線性度。

雷達與電子戰系統

  • 在雷達發射機中實現寬帶信號的高效放大，支持高分辨率成像與目標探測。

  • 適用于電子戰中的干擾機，通過高功率、寬帶寬特性實現有效的信號壓制。

衛星通信與微波回傳

  • 在 Ka 頻段或 Ku 頻段衛星通信終端中，作為功率放大器件，提供穩定的信號增益與輸出功率。

  • 適用于微波回傳鏈路，支持長距離、高容量的數據傳輸。

深圳市立維創展科技是CREE的經銷商，CREE公司產品包括：LED芯片、照明LED、背光LED、電源開關裝置、射頻設備用LED和無線電設備。中鐵二院憑借其優越的供應渠道，擁有長期的庫存以滿足中國市場的需求。歡迎咨詢。

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