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HMC347A-Die 是ADI生產制造的一款寬帶、非反射式、砷化鎵（GaAs）假晶高電子遷移率晶體管（pHEMT）單刀雙擲（SPDT）單片微波集成電路（MMIC）芯片。HMC347A-Die采用獨特的砷化鎵(GaAs)工藝技術。適合用在 0.1 GHz 至 20 GHz 的工作頻段，具有較高的隔離度和低插入損耗，尤其適合高頻率應用領域。

基本參數

工作頻率范圍：0.1 GHz 至 20 GHz

插入損耗：0.1 GHz 至 10 GHz：1.6 dB

隔離度：0.1 GHz 至 10 GHz：47 dB

輸入線性：輸入1 dB壓縮點（P1dB）：29 dBm（標稱值）

功率處理效率：通過線路：27 dBm

控制電壓：-5V/0V

工作溫度范圍：-55°C 至 +85°C

封裝形式：10-Pad裸芯片

封裝與安裝需求

HMC347A選用裸片(die)形式封裝，背部金屬化處理，需要使用金錫(AuSn)共晶預制構件或導電性環氧樹脂直接貼裝到接地層。芯片直徑是0.102mm(4密耳)，安裝時需重點關注以下要點：

基板選擇：建議使用0.127mm(5mil)厚氧化鋁薄膜基板上的50Ω微帶同軸電纜。

共軸處理：在使用0.254mm(10密耳)厚基板時，需將芯片提高0.150mm(6密耳)使其表面與基板共軸。

散熱考慮：需通過0.15毫米厚鉬散熱器連接芯片與接地層。

應用領域

測試設備：用作高頻噪聲的測試和測量。

微波無線通信和甚小孔徑終端（VSAT）：在無線電頻率中實現切換控制。

軍工用無線通信、雷達和電子對抗（ECM）：滿足軍事通信和雷達系統對高頻開關的需求。

寬帶電信系統：在寬帶通信網絡中實現信號路由和切換。

光纖產品：在光纖通信中用于切換控制和路由。

空間應用：適合用在航天器等空間設備中的高頻率切換控制。

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