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X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R

發(fā)布時(shí)間:2018-10-31 16:06:12     瀏覽:1540

描述

AMCOM的AM00 5WN BI-R是一個(gè)離散的GaN/SiC HEMT,其總柵極寬度為0.5mm。它在陶瓷封裝中運(yùn)行可達(dá)12 GHz。BI系列使用特殊設(shè)計(jì)的陶瓷封裝,具有彎曲(Bi-G)或直(BI)引線的安裝方式。封裝底部的法蘭同時(shí)作為直流接地、射頻接地和熱路。這部分是符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的。

品牌 型號(hào) 貨期 庫存
AMCOM AM005WN-BI-R 1周 60
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特征
高達(dá)12 GHz的高頻操作
增益=15dB,p5dB=33.5dBm,PAE=51%,漏極=56% @ 3GHz。
表面貼裝

有效散熱的底部


應(yīng)用
高動(dòng)態(tài)接收機(jī)
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達(dá)
測試儀表
陸軍
干擾機(jī)

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