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Ka波段功率放大器裸片MAAP-011140-DIE

2018-11-21 14:14:56

Ka波段功率放大器裸片MAAP-011140-DIE，該功率放大器工作在27.5至30.0 GHz，提供24 dB線性增益，6 W飽和輸出功率和23％效率，同時偏置電壓為6 V. MAAP-011140-DIE是一款非常適合VSAT通信的功率放大器。

Ka波段4 W功率放大器MAAP-011139

2018-11-21 14:02:59

Ka波段4 W功率放大器MAAP-011139，采用無鉛5 mm 32引腳AQFN塑料封裝。該功率放大器工作在28.5至31 GHz，提供22 dB線性增益，4 W飽和輸出功率和23％效率，同時偏置電壓為6 V. MAAP-011139是一款非常適合VSAT通信的功率放大器。

S波段功率放大器_S波段功率放大器芯片_S波段放大器模塊（二）

2018-11-21 11:17:34

S波段功率放大器芯片模塊在應用方面有民用雷達、軍用雷達、商用雷達、寬帶放大器、多頻段VSAT、蜂窩基礎設施基站、中繼器/助推器/ DAS等用途。

S波段放大器_S波段功率放大器_S波段功率放大器芯片/模塊（一）

2018-11-21 11:02:57

S波段功率放大器芯片/模塊根據國內外標準，S波段是指頻率范圍在2 - 4 GHz的電磁波頻段。S波段放大器應用：民用雷達、軍用雷達、商用雷達、寬帶放大器、多頻段VSAT、蜂窩基礎設施基站、中繼器/助推器/ DAS等用途。

L波段功率放大器模塊MAAP-011060

2018-11-20 16:29:19

L波段功率放大器模塊MAAP-011060，采用6 mm接地網格陣列（LGA）組裝而成，具有50Ω輸入和輸出端子。輸入和輸出端口也是DC阻塞的。該器件采用GaAs HBT工藝，在1.6 GHz衛星應用中實現最佳5 V性能。

C波段功率放大器MAAP-011027

2018-11-20 16:12:34

MAAP-011027是一款2級，8 W飽和C波段功率放大器，采用5 mm 20引腳PQFN封裝，便于組裝。該產品在輸入和輸出上完全匹配50歐姆。它可用作功率放大器級或高功率脈沖應用中的驅動級。

S波段放大器MAAP-011022高功率平衡放大器芯片

2018-11-20 15:15:43

S波段放大器MAAP-011022，是一款2.7至3.0 GHz高功率平衡放大器，專為S波段航空和氣象雷達應用而設計。該器件輸出7 W脈沖，設計工作在8％的占空比。MAAP-011022采用無鉛6 mm 28引腳塑料封裝，適合大批量生產。

Ku波段功率放大器芯片MAAP-010517

2018-11-20 15:07:46

Ku波段功率放大器芯片MAAP-010517，是一款封裝的線性功率放大器，工作頻率范圍為14.4 - 15.4 GHz。該器件提供24 dB增益和42 dBm輸出三階截取點（OIP3），輸出波形為34.5 dBm P1dB。

U波段放大器MAAP-010512高線性度1W功率放大器 macom現貨

2018-11-20 14:52:03

U波段放大器MAAP-010512是一款4級，高線性度1W功率放大器，采用7x7 mm疊層封裝，易于組裝。該PA產品在輸入和輸出上完全匹配50歐姆。

S波段放大器C波段放大器10W功率放大器MAAP-010169

2018-11-20 14:24:13

S波段放大器C波段放大器10W功率放大器MAAP-010169，是一款專為寬帶高功率應用而設計的兩級MMIC功率放大器。它可以用作驅動器或輸出級放大器。該器件輸入輸出完全匹配為50？這消除了任何敏感的外部RF調諧組件。

X波段放大器Ku波段功率放大器MAAP-008924

2018-11-20 14:07:53

X波段放大器Ku波段功率放大器MAAP-008924，是一款3級，高線性度1.2 W GaAs功率放大器，采用5mm，20引腳PQFN封裝，易于組裝。該PA產品在輸入和輸出上完全匹配50歐姆。它可用作功率放大器級或高功率應用中的驅動級。它非常適合點對點無線電。

X波段功率放大器芯片GaAs MMIC兩級高效功率放大器MAAM71100

2018-11-20 14:04:30

MAAM71100是一款X波段功率放大器芯片GaAs MMIC兩級高效功率放大器。MAAM71100是一款完全單片設計，適用于50 O系統，具有片內負偏置網絡，無需外部偏置電路。

線性功率放大器MAAP-010150——macom現貨

2018-11-20 11:54:23

MAAP-010150是一款封裝的線性功率放大器，工作頻率范圍為10.0 - 15.35 GHz。該器件通常提供27 dB的增益和42 dBm的OIP3，輸出P1dB超過33.5 dBm。該功率放大器采用無鉛，完全模制的7 mm QFN封裝，由3級功率放大器和集成的片上峰值功率檢測器和包絡檢波器組成。

寬帶微波功率晶體管MAPR-001090-350S00

2018-11-20 11:51:59

寬帶微波功率晶體管MAPR-001090-350S00，其主要特點有： 擴散發射極鎮流電阻、高效數字間幾何、寬帶C類操作、共同基礎配置、密封金屬/ cCeramic封裝等

雙極 NPN硅微波功率晶體管MAPR-001011-850S00

2018-11-20 11:49:03

雙極 NPN硅微波功率晶體管MAPR-001011-850S00，主要特點有：擴散發射極鎮流電阻器、高效的數字間幾何、 寬帶C類操作、內部輸入和輸出阻抗匹配等

macom航空航天NPN硅微波功率晶體管MAPR-000912-500S00

2018-11-19 15:02:22

macom航空航天NPN硅微波功率晶體管MAPR-000912-500S00， 內部輸入和輸出阻抗匹配，金金屬化系統， 擴散發射極鎮流電阻器，寬帶C類操作， 符合RoHS標準。

通用型C類Sband托盤放大器MAPP-002729-300M00——macom現貨

2018-11-19 14:52:02

通用型C類Sband托盤放大器MAPP-002729-300M00，旨在簡化產品上市時間。晶體管采用直流隔離，以優化電流平衡并實現單獨的電流監控。廣泛的Wilkinson組合器可最大限度地提高一致性并減少損失。此外，寬走線簡化了與任何PCB材料上的50O電路的連接。

60W雙極RF線NPN硅功率晶體管2N6439

2018-11-19 14:43:45

60W雙極RF線NPN硅功率晶體管2N6439，225至400MHz，28V 主要設計用于225至400 MHz頻率范圍的寬帶大信號輸出放大器級。

GaAs肖特基二極管MGS901——MACOM現貨

2018-11-15 13:53:12

GaAs肖特基二極管MGS901—MACOM現貨，COM的MGS系列GaAs肖特基二極管專為在60 GHz工作的毫米波元件提供最佳性能。

SW-313-PIN低功耗砷化鎵場效應晶體管

2018-11-15 13:50:10

SW-313-PIN低功耗砷化鎵場效應晶體管，該器件封裝在16引線陶瓷表面安裝封裝中，在保持低功耗的同時，提供了從直流到3GHz的良好性能和重復性。

AM090WX-CU-R陶瓷封裝GaAs功率PHEMT DC-8GHz

2018-11-15 10:51:34

AM090WX-CU-R陶瓷封裝GaAs功率PHEMT DC-8GHz，這一部分的總閘門寬度為9mm。AM090WX-CU-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率可達8GHz。CU系列是專門設計的陶瓷封裝，具有直引線和插裝式法蘭。

陶瓷封裝砷化鎵功率PHEMT雷達S波段AM060WX-BI-R

2018-11-15 10:29:59

陶瓷封裝砷化鎵功率PHEMT雷達S波段AM060WX-BI-R，這一部分的總柵極寬度為6mm。AM060WX-BI-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達10 GHz。

C波段射頻晶體管雷達AM030WX-BI-R

2018-11-15 10:26:54

C波段射頻晶體管雷達AM030WX-BI-R，其總柵極寬度為3.0mm。它采用陶瓷BI封裝，工作頻率可達10GHz。BI封裝采用特殊設計的陶瓷封裝，帶有彎曲（BI-G）或直線（BI）引線，采用插入式安裝方式。

超寬帶射頻晶體管驅動放大器AM010WX-BI-R

2018-11-14 17:15:42

AMCOM的AM010WX-BI-R是一個離散的GaAs PHEMT，其總柵極寬度為1.0mm。它是在陶瓷BI封裝，運行高達12千兆赫。BI系列使用特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲（Bi-G）或直（BI）引線的安裝方式。

Anritsu 擰入式接頭V102M-R

2018-11-08 14:04:49

Anritsu 擰入式接頭V102M-R，Anritsu 提供了微帶彈性觸片（"滑動觸體"）。 該觸體能夠在發生溫度變化、撞擊或振動時對連接提供保護。 V110-1 適用于跡線寬度為 0.15 毫米的微帶和共平面波導。

V 凹型凸緣啟動器V103F-R

2018-11-08 11:31:15

V 凹型凸緣啟動器V103F-R，Anritsu 提供了 V110-1 去應力觸體（也稱為“滑動觸體”）， 該觸體能夠在發生溫度變化、撞擊或振動時對連接提供保護。 該型號的觸體適用于跡線寬度為 0.15 毫米的微帶和共平面波導。 當用于共平面波導時，某些工程師會采用插針重疊設計，這樣即可將插針直接焊接到跡線上。

Anritsu 陽頭法蘭盤接頭V103M-R

2018-11-08 11:25:20

V103-R 可與 V100 珠子或 V100B 密封式珠子緊密結合。nritsu 提供了 V110-1 微帶彈性觸片 （也稱為"滑動觸體"）， 該觸體能夠在發生溫度變化、撞擊或振動時對連接提供保護。 該型號的觸體適用于跡線寬度為 0.15 毫米的微帶和共平面波導。

雷達射頻晶體管AM005WX-BI-R

2018-11-07 11:44:16

雷達射頻晶體管AM005WX-BI-R，其總柵極寬度為0.5mm。它是在陶瓷BI封裝，運行高達12千兆赫。BI系列使用特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲（Bi-G）或直（BI）引線的安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。這部分是符合RoHS標準的。

C波段VSAT高功率寬帶應用AM032MH4-BI-R

2018-11-07 11:36:48

C波段VSAT高功率寬帶應用AM032MH4-BI-R，HIFET是部分匹配的專利設備配置，用于高電壓、高功率和寬帶應用。該器件的總器件外圍為128mm。AM032 MH4-Bi-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。BI系列采用一種特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲或直線的引線和凸緣安裝方式。

S波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM030MH4-BI-R

2018-11-07 11:32:45

S波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM030MH4-BI-R ，HIFET是部分匹配的專利設備配置的高電壓，高功率，高線性度和寬帶應用。該器件的總器件外圍為12mm。