NPTB00004A GaN HEMT是一款針對DC-6 GHz工作進行了優(yōu)化的VHF / UHF / L波段雷達?寬帶晶體管。該器件采用工業(yè)標準表面貼裝SOIC塑料封裝,設計用于CW,脈沖和線性工作,輸出功率為5W(37 dBm)。
NPA1008是一款寬帶集成GaN功率放大器,針對20 - 2700 MHz工作進行了優(yōu)化。該放大器設計用于飽和和線性工作,輸出電平為5 W(37 dBm),采用無鉛4 x 4 mm 24引腳QFN塑料封裝。NPA1008非常適用于測試和測量,國防通信,陸地移動無線電和無線基礎設施中的通用窄帶到寬帶應用。
NPTB00025B射頻功率晶體管針對DC - 4000MHz的寬帶操作進行了優(yōu)化,熱增強型工業(yè)標準封裝100%射頻測試,特點適用于高達32V的工作電壓
HMC344ALP3E是一款寬帶、非反射式、單刀四擲(SP4T)開關(guān),采用砷化鎵(GaAs)金屬半導體場效應晶體管(MESFET)工藝制造。該開關(guān)具有高隔離、低插入損耗和片內(nèi)端接隔離端口。
HMC322ALP4E是一款寬帶非反射GaAs MESFET SP8T開關(guān),采用低成本無引腳表貼封裝。 該開關(guān)頻率范圍為DC至8 GHz,具有高隔離和低插入損耗。 該開關(guān)還集成了片內(nèi)二進制解碼電路,將所需邏輯控制線減至三條
ADI現(xiàn)貨HMC252AQS24E是一款低成本非反射SP6T開關(guān),采用24引腳QSOP封裝,寬帶工作頻率范圍為DC至3.0 GHz。 該開關(guān)提供單正偏置和真TTL/CMOS兼容性。
HMC244AG16是一款非反射式SP4T開關(guān),采用16引腳玻璃/金屬(密封)封裝。 該開關(guān)頻率范圍為DC至4 GHz,3 GHz范圍內(nèi)提供30至50 dB隔離和0.7 dB的低插入損耗。
ADI現(xiàn)貨HMC986A是一款寬帶GaAs pHEMT MMIC單刀雙擲(SPDT)開關(guān)裸片。這款緊湊型開關(guān)采用反射式拓撲結(jié)構(gòu),通過兩個互補輸入(0/-3V至0/-5V)控制。輸入信號為40 GHz時,該器件具有19 dB回損、34 dB隔離,以及僅2.1 dB的插入損耗。
ADI現(xiàn)貨HMC547ALC3是一款通用型寬帶高隔離非反射GaAs MESFET SPDT開關(guān),采用3x3 mm無引腳陶瓷表貼封裝。該開關(guān)頻率范圍為DC至28.0 GHz,在中頻段時具有高于40 dB的隔離度和小于2 dB的插入損耗。
ADI現(xiàn)貨HMC427ALP3E是一款低損耗寬帶正控制轉(zhuǎn)換開關(guān),采用無引腳表貼封裝。 該開關(guān)頻率范圍為DC至8 GHz,具有高隔離和低插入損耗。 該開關(guān)采用0/+5V正控制電壓工作,所需固定偏置為+5V (< 20 μA)。
ADI現(xiàn)貨的HMC347A是一款寬帶非反射式GaAs pHEMT SPDT MMIC芯片。該開關(guān)頻率范圍為DC至20 GHz,具有高隔離和低插入損耗。由于采用了片內(nèi)通孔結(jié)構(gòu),該開關(guān)在較低頻率下具有超過52 dB的隔離度,在較高頻率下具有超過40 dB的隔離度。
HMC321ALP4E是一款寬帶非反射GaAs SP8T開關(guān),采用低成本無引腳表貼封裝。該開關(guān)頻率范圍為DC至8 GHz,具有高隔離和低插入損耗。該開關(guān)還集成了板載二進制解碼電路,將所需邏輯控制線減至三條。
HMC612LP4(E)對數(shù)檢波器/控制器適合用來將頻率范圍為50 Hz至3 GHz的輸入信號轉(zhuǎn)換為輸出端成比例的直流電壓。 HMC612LP4(E)采用連續(xù)壓縮技術(shù),在寬輸入頻率范圍內(nèi)具有極高的動態(tài)范圍和轉(zhuǎn)換精度。
HMC611LP4(E)對數(shù)檢波器/控制器將輸入端的RF信號轉(zhuǎn)換為輸出端成正比的DC電壓。HMC611LP4(E)利用連續(xù)壓縮拓撲結(jié)構(gòu),提供寬輸入頻率范圍內(nèi)的極高動態(tài)范圍和轉(zhuǎn)換精度。隨著輸入功率增加,連續(xù)放大器逐漸進入飽和,從而生成精確的對數(shù)函數(shù)近似值。
HMC713LP3E對數(shù)檢波器/控制器非常適合將RF信號(50 MHz至8000 MHz頻率范圍內(nèi))的功率在輸出端轉(zhuǎn)換為與輸入功率成正比的直流電壓。 HMC713LP3E采用連續(xù)壓縮技術(shù),可在寬輸入頻率范圍內(nèi)提供具有高測量精度的54 dB動態(tài)范圍。
HMC1021LP4E是一款集成高帶寬包絡檢波器的RMS功率檢波器。RMS輸出為溫度補償式、單調(diào)、線性dB表示的RF實信號功率,采用70 dB的輸入檢測范圍測量。
HMC1020LP4E功率檢波器設計用于RF功率測量和頻率高達3.9 GHz.的控制應用。 該檢波器提供精確的任何寬帶、單端RF/IF輸入信號均方根表示。 輸出為溫度補償式、單調(diào)表示實信號功率,采用72 dB的輸入檢測范圍測量。
HMC500LP3(E)是一款高動態(tài)范圍的矢量調(diào)制器RFIC,用于RF預失真和前饋消除電路,以及RF消除和波束成形幅度/相位校正電路。 可以使用HMC500LP3(E)的I/Q端口,持續(xù)改變RF信號的相位和幅度
HMC6300BG46是一款完整的毫米波發(fā)射器集成電路,采用符合RoHS標準的6 mm x 4 mm晶圓級球柵陣列(WLBGA)封裝,工作頻率范圍為57 GHz至64 GHz,調(diào)制帶寬高達1.8 GHz。
HMC630LP3和HMC630LP3E均為高動態(tài)范圍矢量調(diào)制器RFIC,可用于RF預失真和前饋消除電路以及RF波束成形和幅度/相位校正電路。 HMC630LP3(E)的I和Q端口可用來連續(xù)改變RF信號的相位和幅度
NPT1012B氮化鎵28V 25W射頻功率晶體管, 針對DC-4000MHz的寬帶操作進行了優(yōu)化,14 - 28V的高效率,對于負載牽引數(shù)據(jù)和非線性模型,若您有任何疑問,請聯(lián)系我們立維創(chuàng)展,我們會盡最大努力為您服務。 ?
NPT2021 GaN HEMT是一款寬帶晶體管,針對DC-2.5 GHz工作進行了優(yōu)化。該器件支持CW,脈沖和線性工作,輸出功率為45 W,采用工業(yè)標準塑料封裝,帶螺栓法蘭。
NPT2010 GaN HEMT是一款針對DC-2.2 GHz工作優(yōu)化的寬帶晶體管。該器件設計用于連續(xù)波,脈沖和線性工作,輸出功率為100W(50 dBm),采用工業(yè)標準金屬陶瓷封裝,帶螺栓法蘭。
NPT1010B氮化鎵氮氣28伏,100W射頻功率晶體管使用SigaNIC?NFR1工藝建造-專有的氮化鎵硅技術(shù)不推薦用于新的應用。 若您有任何疑問,請聯(lián)系我們立維創(chuàng)展,我們會盡最大努力為您服務。?
NPT25100射頻功率晶體管90W P3dB連續(xù)波功率,優(yōu)勢和特點有CW、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE等2100~-2500兆赫其他應用的優(yōu)化,高可靠性金金屬化工藝,熱增強工業(yè)標準封裝,100%射頻測試等
NPT2022 GaN HEMT是一種寬帶晶體管,針對DC-2 GHz工作進行了優(yōu)化。該器件支持CW,脈沖和線性工作,輸出功率為100 W(50 dBm),采用行業(yè)標準塑料封裝。NPT2022非常適用于國防通信,陸地移動無線電,航空電子設備,無線基礎設施,ISM應用和VHF / UHF / L / S波段雷達。
NPA1003QA是一款寬帶,內(nèi)部匹配的GaN MMIC功率放大器,針對20-1500 MHz工作進行了優(yōu)化。該器件設計用于CW,脈沖和線性工作,輸出功率超過5W(37 dBm),采用工業(yè)標準表面貼裝QFN4X4-16塑料封裝。
MAGx-011086 GaN HEMT是一款寬帶晶體管,針對DC-6 GHz工作進行了優(yōu)化,采用用戶友好型封裝,是高帶寬應用的理想選擇。該器件設計用于CW,脈沖和線性工作,輸出功率為5W(37 dBm),采用工業(yè)標準,低電感,表面貼裝QFN4X4-24塑料封裝。
components.HMC649A是一款6位數(shù)字移相器芯片,額定頻率范圍為3 GHz至6 GHz,提供360度相位覆蓋,LSB為5.625度。 HMC649A在所有相態(tài)具有3度的低RMS相位誤差及±0.5 dB的極低插入損耗變化。
HMC647ALP6E是一款6位數(shù)字移相器,額定頻率范圍為2.5至3.1 GHz,提供360度相位覆蓋,LSB為5.625度。 HMC647ALP6E在所有相態(tài)具有1.5度的極低RMS相位誤差及±0.4 dB的極低插入損耗變化。