產(chǎn)品詳情介紹
4M系列金屬氮化物硅芯片電容器是專(zhuān)為微波電路應(yīng)用中的高可靠性和可重復(fù)性而設(shè)計(jì)的。這些電容器是用低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）制成的，這種沉積能產(chǎn)生致密、均勻的氮化物層。與類(lèi)似的MOS、MIS和陶瓷電容器相比，這些器件具有更高的單位面積電容（導(dǎo)致更小的芯片尺寸）和更高的耐用性。蒸發(fā)金觸點(diǎn)用于在電容器芯片上提供易于粘合的金屬墊。M/A-Com MNS電容器在150攝氏度的額定隔離電壓下沒(méi)有顯示可測(cè)量的電容變化。
MA4M系列芯片電容器是Ku波段混合微波電路的最佳選擇，在Ku波段，低損耗、高可靠性、小尺寸和溫度穩(wěn)定性是首要考慮的問(wèn)題。
這些芯片電容器適用于需要直流塊、耦合電容器、旁路電容器、電容負(fù)載和振蕩器、乘法器和濾波器中的調(diào)諧元件的應(yīng)用。
MA4M2020特征
?良好的重復(fù)性（晶圓對(duì)晶圓和批次對(duì)批次）
?小尺寸
?低損耗，高Q
?提供圓形或方形粘合墊