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MA4M3100 MNS微波芯片電容器
MA4M3100  MNS微波芯片電容器

重要參數

MA4M3100  MNS微波芯片電容器

電容(PF):100

隔離電壓(V):50

芯片樣式:358

品牌:MACOM

產品詳情介紹

M/A-COMMA4M系列MNS(金屬氮化物硅)硅片電容器專為微波電路應用中的高可靠性和可重復性能而設計。這些電容器是用低壓化學氣相沉積(LPCVD)制造的,這種沉積可以形成致密、均勻的氮化物層。這些電容器比類似的MOSMIS和陶瓷電容器表現出更高的單位面積電容(導致芯片尺寸更小)。蒸發金觸點用于在電容器芯片上提供易于粘合的金屬墊。M/A-COM MNS電容器在150℃的額定電壓下沒有顯示出可測量的電容變化。

MA4M系列片式電容器是一個很好的選擇,用于Ku波段以上的混合微波電路中,低損耗、高可靠性、小尺寸和溫度穩定性是主要考慮因素。

這些片式電容器適用于需要直流模塊、耦合電容器、旁路電容器、電容負載和振蕩器、乘法器和濾波器中的調諧元件的應用。

 

MA4M3100特征

?極好的重復性(晶圓對晶圓和批次對批次)

?小尺寸

?低損耗,高Q

?提供圓形或方形焊盤


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