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CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管
CHK8101a99F  氮化鎵功率晶體管

重要參數

CHK8101a99F  氮化鎵功率晶體管

Glin(dB)@頻率(GHz): 14 @ 6

工作頻率(GHz):最多6個

飽和功率(W):  20

PAE(%)@頻率(GHz): 60 @ 6

訂貨交期:3-4周

品牌:UMS微波

產品詳情介紹

CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。

該產品為雷達和電信等各種RF電源應用提供通用和寬帶解決方案。

它是基于SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT技術開發的,并且特別符合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006指令的規定。

它以裸芯片形式提出,并且需要外部匹配電路。


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