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CHZ180AaSEB 內(nèi)部匹配的GAN功率晶體管
CHZ180AaSEB  內(nèi)部匹配的GAN功率晶體管

重要參數(shù)

CHZ180AaSEB  內(nèi)部匹配的GAN功率晶體管

射頻帶寬(GHz): 1.2-1.4

小信號(hào)增益(dB):20

功率(W):200

相關(guān)增益(dB): > 14

P-1dB輸出(dBm):-

PAE(%): 52

訂貨交期:3-4周

品牌:UMS微波

產(chǎn)品詳情介紹

CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預(yù)匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L(zhǎng)波段的各種RF功率應(yīng)用提供了寬帶解決方案。

非常適合脈沖雷達(dá)應(yīng)用。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長(zhǎng)的GaN HEMT工藝上提出的。它基于準(zhǔn)MMIC技術(shù)。

它采用密封法蘭陶瓷金屬電源封裝,可提供低寄生和低熱阻。


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