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CHZ015AaQEG 內部匹配的GAN功率晶體管
CHZ015AaQEG  內部匹配的GAN功率晶體管

重要參數

CHZ015AaQEG  內部匹配的GAN功率晶體管

射頻帶寬(GHz): 1.2-1.4

小信號增益(dB):16

功率(W):15

相關增益(dB): > 14

P-1dB輸出(dBm):-

PAE(%): > 55

訂貨交期:3-4周

品牌:UMS微波

產品詳情介紹

CHZ015AaQEG是輸入匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。

它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。該電路非常適合脈沖雷達應用。

CHZ015AaQEG是在0.5μm柵長的GaN HEMT工藝上提出的。它基于準MMIC技術。

它以符合RoHS的SMD封裝提供。


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