產(chǎn)品詳情介紹
JP503AS是一種低姿態(tài)，高性能的3dB混合耦合器，易于使用，制造友好的表面安裝封裝。它是為W-CDMA和其他3G應用而設計的。JP503AS專為平衡放大器、可變移相器和衰減器、低噪聲放大器、信號分配而設計，是滿足無線工業(yè)對更小印刷電路板和高性能要求的理想解決方案。零件已經(jīng)過嚴格的鑒定測試，它們是使用熱膨脹系數(shù)（CTE）的材料制造的，這些材料與FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺等常見基材兼容。生產(chǎn)6個符合RoHS標準的浸錫飾面。
JP503AS特征：
?2.0–2.3千兆赫。
?3G頻率
?低損耗
?高隔離度
?90°正交
?表面貼裝
?磁帶和卷軸
?無鉛
?100%測試