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X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R

發(fā)布時(shí)間：2018-10-31 15:54:34 瀏覽：2058

描述

AMCOM的AM012WN-Bi-R是一個(gè)離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極寬度為1.25mm。它是在陶瓷BI封裝，運(yùn)行高達(dá)10千兆赫。BI系列使用特殊設(shè)計(jì)的陶瓷封裝，具有彎曲（Bi-G）或直（BI）引線的安裝方式。封裝底部的法蘭同時(shí)作為直流接地、射頻接地和熱路。這部分是符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的。

品牌	型號(hào)	貨期	庫(kù)存
AMCOM	AM012WN-BI-R	1周	50

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特征
高達(dá)10 GHz的高頻操作
增益＝17dB，p5dB＝37 dBm，PAE＝51%，漏＝55% @ 2.8 GHz。
表面貼裝

有效散熱的底部

應(yīng)用
高動(dòng)態(tài)接收機(jī)
蜂窩無(wú)線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達(dá)
測(cè)試儀表
陸軍
干擾機(jī)

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